เวสเทิร์น ดิจิตอล พัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำชิป 3D NAND รุ่นใหม่ล่าสุดภายใต้ชื่อ BiCS5 เวสเทิร์น ดิจิตอล ใช้ความก้าวหน้าด้านเทคโนโลยีและการผลิตมาพัฒนาต่อยอดชิป NAND แบบ 3 มิติ

เบื้องต้น เวสเทิร์น ดิจิตอล จะเริ่มต้นการผลิตชิป BiCS5 แบบ TLC ขนาด 512 กิกะบิต (Gb) ก่อนและเริ่มการจัดส่งอุปกรณ์ที่มีขนาดความจุ 512กิกะบิต สำหรับการใช้งานกับอุปกรณ์บางชนิด การผลิต BiCS5 เชิงพาณิชย์คาดว่าจะเดินสายการผลิตภายในช่วงครึ่งหลังของปี 2020 นี้ ชิปBiCS5 แบบ TLC และ BiCS5 แบบ QLC จะมีให้เลือกให้หลากหลายความจุ และความจุสูงถึง 1.3TB

"เมื่อเรากำลังก้าวเข้าสู่ทศวรรษใหม่ แนวทางใหม่ในพัฒนาชิป NAND แบบสามมิติให้สามารถเก็บข้อมูลได้มากขึ้นย่อมเป็นสิ่งสำคัญอย่างยิ่งเพื่อที่จะสามารถตอบสนองความต้องการในเรื่องปริมาณและความเร็วของข้อมูลที่เพิ่มขึ้น" ดร.สตีฟ ปาร์ค (Steve Paak) รองประธานอาวุโสฝ่ายเทคโนโลยีหน่วยความจำและการผลิต บริษัท เวสเทิร์น ดิจิตอล กล่าวพร้อมเพิ่มเติมอีกว่า "ความสำเร็จในการผลิต BiCS5 แสดงให้เห็นถึงความเป็นผู้นำด้านเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชของเวสเทิร์น ดิจิตอลที่มีอย่างต่อเนื่องและการดำเนินการอันแข็งแกร่งเพื่อความสำเร็จของแผนงาน ด้วยการยกระดับความก้าวหน้าใหม่ให้กับเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบ multi-tier บนโฮลของเราเพื่อที่จะเพิ่มความหนาแน่นรวมถึงการเพิ่มเลเยอร์การจัดเก็บมากขึ้น เรามุ่งที่เพิ่มขนาดความจุและประสิทธิภาพของเทคโนโลยี 3D NAND อย่างสูงสุด ในขณะที่ยังสามารถส่งมอบความน่าเชื่อถือและต้นทุนได้ตามที่ลูกค้าคาดหวังไว้"

BiCS5 คิอชิปหน่วยความจำที่มีความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลสูงที่สุดและเป็นเทคโนโลยี NAND แบบสามมิติที่ทันสมัยที่สุดของเวสเทิร์น ดิจิตอล ที่ผลิตขึ้นโดยใช้เทคโนโลยีและนวัตกรรมการผลิตที่หลากหลาย เทคโนโลยีหน่วยความจำแบบ multi-tier บนโฮลเจเนอเรชันที่2กระบวนการทางวิศวกรรมที่ได้รับการปรับปรุง และการพัฒนาเซลล์ของโครงสร้างเทคโนโลยี 3D NAND อื่นๆ เพื่อเพิ่มความหนาแน่นการเรียงตัวของเซลล์หน่วยความจำในแนวนอนตลอดทั้งแผ่นเวเฟอร์

ความก้าวหน้าในการเพิ่มความหนาแน่นของเซลล์หน่วยความจำนี้เมื่อรวมกับความสามารถในการจัดเก็บแบบแนวตั้งซ้อนกัน 112 เลเยอร์ ช่วยให้BiCS5 สามารถมีความจุเพิ่มได้สูงสุดถึง 40 เปอร์เซ็นต์* ต่อเวเฟอร์ เมื่อเทียบกับเทคโนโลยี BiCS4 แบบ 96 เลเยอร์ของเวสเทิร์น ดิจิตอล ด้วยราคาที่สมเหตุสมผล การปรับปรุงด้านการออกแบบยังช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการทำงาน ทำให้ชิป BiCS5 มีประสิทธิภาพ I/O เร็วขึ้นถึง 50% เมื่อเปรียบเทียบกับ BiCS4**

เทคโนโลยี BiCS5 ได้รับการพัฒนาร่วมกับ Kioxia Corporation พันธมิตรด้านเทคโนโลยีและการผลิต โดยชิป BiCS5 จะถูกผลิตขึ้นที่โรงงานประกอบกิจการร่วมค้าในเมืองยกไกชิ (Yokkaichi) ในจังหวัดมิเอะ (Mie) ประเทศญี่ปุ่นและเมืองคิตากามิ (Kitakami) จังหวัดอิวะเตะ (Iwate) ประเทศญี่ปุ่น

การเปิดตัวเทคโนโลยีชิป BiCS5 นี้พัฒนาต่อยอดจากผลิตภัณฑ์ในกลุ่มเทคโนโลยี 3D NAND ของเวสเทิร์น ดิจิตอล สำหรับใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์แบบใช้ส่วนตัวที่ใช้ข้อมูลเป็นศูนย์กลาง โทรศัพท์มือถือสมาร์ทโฟน อุปกรณ์ IoT และดาต้าเซ็นเตอร์

สามารถติดตามข้อมูลข่าวสารของเวสเทิร์น ดิจิตอลได้ที่ Twitter, LinkedIn, Blog, Facebook, YouTube

• ข่าวเวสเทิร์น
• ข่าวเวสเทิร์นดิจิตอล
• ข่าวแฟลช
• ข่าวดิจิตอล
• ข่าวการดำเนินการ