ทรานส์เซนด์ เปิดตัว JetRam DDR4 หน่วยความจำคุณภาพสูงในราคาประหยัด

หน่วยความจำ JetRam DDR4 ของทรานส์เซนด์สร้างขึ้นด้วยชิป DRAM ที่มีคุณภาพสูงสุด ซึ่งให้ประสิทธิภาพการทำงานและความทนทาน พร้อมด้วยคุณสมบัติของเทคโนโลยี DDR4 ที่ล้ำหน้า หน่วยความจำ DDR4 ของทรานส์เซนด์เลือกใช้ชิปหน่วยความจำความจุสูงทำให้มีโมดูลหน่วยความจำที่ความจุตั้งแต่4GB ถึง 8GB ให้เลือกใช้ ด้วยความเร็วในการรับส่งข้อมูลความเร็วสูง 2400MHz และแบนด์วิดธ์หน่วยความจำสูงสุด 19GB/s ทำให้โมดูลหน่วยความจำ DDR4 ของทรานส์เซนด์จะส่งเสริมประสิทธิภาพการทำงานของระบบได้อย่างครอบคลุม

โมดูลหน่วยความจำ JetRam DDR4 ของทรานส์เซนด์ทำงานด้วยแรงดันไฟฟ้าต่ำที่ 1.2V ทำให้ลดภาระการใช้ไฟฟ้าของบัสหน่วยความจำและใช้พลังงานน้อยกว่าถึง 40% เมื่อเทียบกับหน่วยความจำ DDR3รุ่นมาตรฐานที่ใช้แรงดันไฟฟ้า 1.5V ช่วยยืดอายุการใช้งานแบตเตอรี่ของอุปกรณ์พกพา และปกป้องสิ่งแวดล้อมด้วยการใช้พลังงานน้อยลง นอกจากนี้เนื่องจากแต่ละโมดูลผลิตความร้อนน้อยทำให้การทำงานโดยรวมของระบบมีอุณหภูมิที่ไม่สูง ช่วยเพื่อเสถียรภาพในการทำงานโดยรวม

นอกจากนี้โมดูลหน่วยความจำ JetRam DDR4 ของทรานส์เซนด์ มีให้เลือกใช้งานสอบแบบคือ U-DIMM และ SO-DIMM ทำให้คุณสามารถนำหน่วยความจำ JetRam DDR4 ไปอัปเกรดโน้ตบุ๊ก หรือนำไปประกอบในพีซีได้อย่างเหมาะสมพร้อมด้วยคุณภาพสูง

ทั้งนี้โมดูลหน่วยความจำ JetRam DDR4 ของทรานส์เซนด์ได้รับการทดสอบโดยกระบวนการคัดกรองที่เข้มงวดของทรานส์เซนด์ และการทดสอบด้านสิ่งแวดล้อมที่เข้มงวด โมดูลหน่วยความจำนี้มีความเข้ากันได้ดีเยี่ยมและมีความน่าเชื่อถือในการทดสอบอย่างเต็มรูปแบบ, โมดูลหน่วยความจำ JetRam DDR4 มีการรับประกันตลอดอายุการใช้งานภายใต้เงื่อนไขของทรานส์เซนด์ พร้อมวางจำหน่ายแล้วที่ร้าน BaNANA IT และร้าน Memory Today ชั้น 3 ฟอร์จูน ทาวน์ สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมกรุณาเยี่ยมชม https://th.transcend-info.com

ข้อมูลผลิตภัณฑ์

Part Number

Capacity

DRAM

Description

JM2400HSH-4G

4GB

512Mx8

4GB JM DDR4 2400 SO-DIMM 1Rx8, 1.2V

JM2400HLH-4G

4GB

512Mx8

4GB JM DDR4 2400 U-DIMM 1Rx8, 1.2V

JM2400HSB-8G

8GB

1024Mx8

8GB JM DDR4 2400 SO-DIMM 1Rx8, 1.2V

JM2400HLB-8G

8GB

1024Mx8

8GB JM DDR4 2400 U-DIMM 1Rx8, 1.2V

• ข่าวคอมพิวเตอร์
• ข่าวมัลติมีเดีย
• ข่าวทรานส์เซนด์